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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、SiN层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述三维成核层包括依次层叠的CMg共掺杂氮化物层、第一C掺杂含Ga氮化物层、第二C掺杂含Ga氮化物层，所述CMg共掺杂氮化物层的生长温度＜所述第一C掺杂含Ga氮化物层的生长温度＜所述第二C掺杂含Ga氮化物层的生长温度。本发明提供的发光二极管外延片提高GaN外延层的晶体质量，降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、SiN层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述三维成核层包括依次层叠的CMg共掺杂氮化物层、第一C掺杂含Ga氮化物层、第二C掺杂含Ga氮化物层，所述CMg共掺杂氮化物层的生长温度＜所述第一C掺杂含Ga氮化物层的生长温度＜所述第二C掺杂含Ga氮化物层的生长温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、LED
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