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申请/专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
摘要：本申请涉及射频前端电路技术领域，具体涉及一种低噪声放大器、芯片和电子设备。低噪声放大器包括第一放大电路、第二放大电路和多个控制接口，其中，第一放大电路包括多个并联连接的第一放大管，第二放大电路包括第三放大管单元；第三放大管单元与多个并联连接的第一放大管连接；多个控制接口分别与对应的第一放大管连接，各控制接口用于接收对应的控制信号，控制信号用于调整对应的第一放大管的偏置电压；其中，多个并联连接的第一放大管为双极性结型晶体管或者场效应晶体管。
主权项：1.一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一放大电路、第二放大电路和多个控制接口，其中，所述第一放大电路包括多个并联连接的第一放大管，所述第二放大电路包括第三放大管单元；所述第三放大管单元与所述多个并联连接的第一放大管连接；所述多个控制接口分别与对应的第一放大管连接，各控制接口用于接收对应的控制信号，所述控制信号用于调整对应的第一放大管的偏置电压；其中，所述多个并联连接的第一放大管为双极性结型晶体管或者场效应晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低噪声放大器、芯片和电子设备
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