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申请/专利权人：上海道之科技有限公司
摘要：本发明涉及二极管器件技术领域，具体涉及一种具有高浪涌耐量的碳化硅二极管及制备方法，包括：衬底；第一类型掺杂的外延层和第二类型掺杂的第一阱区；所述第一阱区中分布有至少两个所述第一掺杂类型的源区；所述源区和所述第一阱区与上方的第一金属层之间为欧姆接触，以形成JFET结构。针对现有技术中的碳化硅二极管抗浪涌性能差的问题，通过在阱区中设置源区，与外延层结合形成NPN结构，并通过源区与外延层结合形成具有JFET特征的高阻区，从而使得器件在浪涌工况下能够通过NPN结构开启，实现较好的抗浪涌特性，同时，由于形成了具有JEFT特征的高阻区，能够在浪涌状态下获得更高的开启电压，提前了NPN结构的开启时间，实现了更好的抗浪涌效果。
主权项：1.一种具有高浪涌耐量的碳化硅二极管，包括衬底、第一类型掺杂的外延层和第二类型掺杂的第一阱区，其特征在于，所述第一阱区中分布有至少两个所述第一掺杂类型的源区；所述源区和所述第一阱区与上方的第一金属层之间为欧姆接触，以形成JFET结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海道之科技有限公司 具有高浪涌耐量的碳化硅二极管及制备方法
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