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申请/专利权人:江苏捷捷微电子股份有限公司
摘要:本发明属于半导体功率器件的技术领域,具体涉及一种抑制短路电流丝失效的IGBT结构。它包括第一导电类型的半导体衬底,半导体衬底的正面有元胞区,所述半导体衬底的背面有集电极结构,其特点是,半导体衬底的漂移区中至少有一条第一导电类型的掺杂区,该掺杂区的宽度不超过1um,掺杂区的掺杂浓度低于半导体衬底的缓冲区浓度、高于所述漂移区的掺杂浓度,掺杂区与缓冲区不接触。该结构可抑制电流丝失效,提高短路能力,降低关断损耗。
主权项:1.一种抑制短路电流丝失效的IGBT结构,包括第一导电类型的半导体衬底;所述半导体衬底的正面有元胞区,所述半导体衬底的背面有集电极结构;其特征在于,所述半导体衬底的漂移区中至少有一条第一导电类型的掺杂区,该掺杂区的宽度不超过1um,掺杂区的掺杂浓度低于半导体衬底的缓冲区浓度、高于所述漂移区的掺杂浓度;所述掺杂区与缓冲区不接触。
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百度查询: 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种抑制短路电流丝失效的IGBT结构
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