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申请/专利权人:北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院
摘要:本申请提供了一种待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法和系统。该方法根据栅极漏电流映射关系和阈值电压映射关系,确定目标待测碳化硅器件的极限栅压、基准栅极漏电流和目标斜坡电压,从而得以精确地得到判断待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效的所需参数,最后采用基准栅极漏电流和目标斜坡电压,对非目标待测碳化硅器件进行测试,确定非目标待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效,通过判断阈值电压减小和栅极漏电流增大筛选出有栅极氧化层缺陷的器件,从而解决了现有方案缺乏一种高效快速筛选碳化硅器件栅极氧化层失效的方案的问题。
主权项:1.一种待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法,其特征在于,包括:获取栅极漏电流映射关系和阈值电压映射关系,所述栅极漏电流映射关系表征斜坡电压和测试栅极漏电流的关系,所述阈值电压映射关系表征所述斜坡电压和测试阈值电压的关系;根据所述栅极漏电流映射关系和所述阈值电压映射关系,确定目标待测碳化硅器件的极限栅压、基准栅极漏电流和目标斜坡电压,所述极限栅压为施加过的所有的所述斜坡电压中的一个,所述基准栅极漏电流为与所述极限栅压对应的所述测试栅极漏电流,所述目标斜坡电压为与所述极限栅压对应的所述斜坡电压;采用所述基准栅极漏电流和所述目标斜坡电压,对非目标待测碳化硅器件进行测试,确定所述非目标待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效。
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权利要求:
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