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申请/专利权人：成都海光微电子技术有限公司
摘要：本申请实施例提供一种芯片的失效分析方法、芯片设计方法、装置、设备及介质，其中失效分析方法包括：获取芯片的局部失效分析结果，所述局部失效分析结果包括芯片发生失效异常的局部失效位置，以及局部失效位置发生失效异常对应的工艺原因；根据所述局部失效位置，确定芯片的疑似失效位置；在所述疑似失效位置，模拟工艺原因；检查所述疑似失效位置模拟工艺原因之后是否发生失效异常，得到检查报告；根据检查报告，生成芯片的失效分析结果。本申请实施例可以提升失效分析在芯片的覆盖面，为芯片在生产制造和设计环节的改进提供较为全面的方向和证据，为提升芯片的良品率、降低芯片发生失效异常的概率提供基础。
主权项：1.一种芯片的失效分析方法，其特征在于，包括：获取芯片的局部失效分析结果，所述局部失效分析结果包括芯片发生失效异常的局部失效位置，以及局部失效位置发生失效异常对应的工艺原因；根据所述局部失效位置的位置属性，在芯片中寻找与所述局部失效位置的位置属性相对应的位置，作为芯片的疑似失效位置，所述疑似失效位置为怀疑因为工艺原因而存在失效异常的芯片位置；在所述疑似失效位置，模拟工艺原因；检查所述疑似失效位置模拟工艺原因之后是否发生失效异常，得到检查报告；根据检查报告，生成芯片的失效分析结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都海光微电子技术有限公司 芯片的失效分析方法、芯片设计方法、装置、设备及介质
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