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申请/专利权人：东丽工程株式会社
摘要：课题在于以简单的结构高精度地转移半导体芯片等元件。具体而言，是通过激光剥离将在转移基板20的第一主面上至少沿第一方向排列并保持于保持层10的元件1向被转移基板转移的转移方法，其特征在于，实施第一元件转移工序，在该第一元件转移工序中，以照射到比至少1个作为转移对象的第一元件1的整个区域大的区域的大小的第一激光光斑50，从所述转移基板20的第二主面侧向以保持着作为转移对象的所述第一元件1的所述保持层10为中心的区域照射激光，向保持作为转移对象的所述第一元件1的整个区域的所述保持层10照射能够将作为转移对象的所述第一元件1分离的能量的激光，将所述第一元件1向被转移基板30转移。
主权项：1.一种转移方法，通过激光剥离将在转移基板的第一主面上至少沿第一方向排列并保持在保持层上的元件转移到被转移基板上，其特征在于，实施第一元件转移工序，在该第一元件转移工序中，以照射到比至少1个作为转移对象的第一元件的整个区域大的区域的大小的第一激光光斑，从所述转移基板的第二主面侧向以保持作为转移对象的所述第一元件的所述保持层为中心的区域照射激光，向保持作为转移对象的所述第一元件的整个区域的所述保持层照射能够分离所述第一元件的能量的激光，将作为转移对象的所述第一元件转移到被转移基板上。
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