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申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司
摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种铁电存储器及其制造方法。所述铁电存储器的制造方法包括如下步骤:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上方的第一介质层以及贯穿所述第一介质层的第一接触结构;于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构的外周分布且暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔;形成连续覆盖所述存储孔的内壁、所述第一接触结构的侧壁和所述第一接触结构的顶面的存储结构,所述存储结构与所述第一接触结构电连接。本发明增大了存储结构的面积,实现了对铁电存储器存储性能的改善,且简化了铁电存储器的制造工艺、降低了铁电存储器的制造难度。
主权项:1.一种铁电存储器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上方的第一介质层以及贯穿所述第一介质层的第一接触结构;于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构的外周分布且暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔;形成连续覆盖所述存储孔的内壁、所述第一接触结构的侧壁和所述第一接触结构的顶面的存储结构,所述存储结构与所述第一接触结构电连接。
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百度查询: 上海积塔半导体有限公司 铁电存储器及其制造方法
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