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申请/专利权人：玄武石半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种带修调的低功耗基准电压电路，通过耗尽型NMOS管NM5，NM6的阈值电压绝对值的正温度特性与增强型NMOS管NM10至NM13阈值电压绝对值的负温度特性相互补偿，得到一个与温度无关的基准电压。同时通过外部的修调信号，对基准电压进行修调，提升基准电压的精度，相对于传统的带隙基准电压电路，本发明不需要使用运放，电路的功耗很低，电流量级低至nA级，最低工作电压为1.8V。
主权项：1.一种带修调的低功耗基准电压电路，其特征是，包括：增强型PMOS管PM1、PM2、耗尽型NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、增强型NMOS管NM7、NM8、NM9、NM10、NM11、NM12、NM13、NM14、NM15、NM16、NM17、电容C1、输入端口Y1、输入端口Y2、输入端口Y3、输入端口Y4、电源输入端口VIN、使能信号输入端口EN、基准电压输出端口VREF、接地端口GND。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 玄武石半导体(武汉)有限公司 一种带修调的低功耗基准电压电路
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