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申请/专利权人：深圳精控集成半导体有限公司
摘要：一种带隙基准电路及芯片、电子设备，属于电子电路技术领域，通过从第一晶体管的集电极到第五晶体管的基极的路径构成前馈路径，由于第一晶体管、第五晶体管和第五电阻的分压作用，从运算放大器的输入和经过第一晶体管和第五晶体管到输出的前馈路径的增益小于1，故将运算放大器的等效输入噪声衰减后叠加到了输出的基准电压上，通过前馈路径使得放大器的噪声得到衰减。
主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻；所述第三晶体管的集电极与供电电源连接，所述第三晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极、所述第一晶体管的基极、所述第三电阻的第一端以及所述运算放大器的反相输入端连接，所述第三晶体管的发射极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电阻的第一端和所述第四晶体管的基极连接，所述第一晶体管的发射极与所述第四晶体管的集电极和所述第五晶体管的基极连接，所述运算放大器的正相输入端与所述第四电阻的第一端、所述第二晶体管的集电极以及所述第二晶体管的基极连接，所述运算放大器的输出端与所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第二端连接，所述第二晶体管的发射极和所述第五晶体管的集电极连接，所述第一电阻的第二端、所述第四晶体管的发射极和所述第五电阻的第一端共接于电源地，所述第五晶体管的发射极和所述第五电阻的第二端共同作为所述带隙基准电路的输出端，以输出基准电压；由于从所述第一晶体管的集电极到所述第五晶体管的基极的路径构成前馈路径，所述第一晶体管、所述第五晶体管和所述第五电阻的分压作用，从所述运算放大器的输入和经过所述第一晶体管和所述第五晶体管到输出的前馈路径的增益小于1，故将所述运算放大器的等效输入噪声衰减后叠加到了输出的基准电压上，通过前馈路径使得放大器的噪声得到衰减。
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