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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于二维材料领域，公开了一种图案化衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用，该图案化衬底上的二硫化钼薄膜包括图案化起伏的衬底和原位生长在该衬底上的二硫化钼层；二硫化钼层包含有单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域；并且，在任意一个二硫化钼单晶晶域下方的衬底区域，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖。本发明利用原位生长，在图案化衬底上得到了保形生长的二硫化钼薄膜，二硫化钼单晶晶域与图案化衬底之间为紧密接触，没有空隙及气泡，性能优于传统转移方式得到的图案化衬底上二硫化钼薄膜。基于该图案化衬底上二硫化钼薄膜构建的光电导型光电探测器在响应时间、明暗电流比、比探测率等方面具有更优的表现。
主权项：1.一种图案化衬底上的二硫化钼薄膜，其特征在于，包括图案化起伏的衬底和原位生长在该衬底上的二硫化钼层；所述二硫化钼层包含有单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域；并且，在任意一个二硫化钼单晶晶域下方的衬底区域，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖。
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百度查询： 华中科技大学 一种图案化衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用
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