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申请/专利权人：晶科能源(上饶)有限公司;浙江晶科能源有限公司
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面，第一面为背光面；第一隧穿层，第一隧穿层设于所述第一面上；掺杂层，设于所述第一隧穿层上，掺杂层的导电类型与半导体基底的导电类型相反，掺杂层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，所述第一掺杂区为掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层，所述第二掺杂区为掺杂多晶硅层；多个第一电极，设于掺杂层背离所述半导体基底的一侧，每个所述第一电极与一所述第二掺杂区欧姆接触。可通过低温掺杂形成非晶硅层或微晶硅层，然后对非晶硅层或微晶硅层局部晶化处理形成用作发射极的第二掺杂区，制作过程中可以低温掺杂工艺形成掺杂，对设备要求低，成本降低。
主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面为背光面；第一隧穿层，所述第一隧穿层设于所述第一面上；掺杂层，所述掺杂层设于所述第一隧穿层上，所述掺杂层的导电类型与半导体基底的导电类型相反，所述掺杂层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，所述第一掺杂区为掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层，所述第二掺杂区为掺杂多晶硅层；多个第一电极，设于掺杂层背离所述半导体基底的一侧，每个所述第一电极与一所述第二掺杂区欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶科能源(上饶)有限公司 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制作方法
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