龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英利能源发展有限公司
摘要：本发明提供了一种太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池制作技术领域，包括：半导体基板、发射极、背场以及隔离部分，半导体基板具有第一导电类型；背场位于所述半导体基板的背面，且具有第一导电类型；所述背场上设置有第一电极；发射极位于所述半导体基板的正面并延伸至所述半导体基板的侧面，所述发射极具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述发射极上设置有第二电极；隔离部分位于所述背场与所述发射极之间，以将所述背场与所述发射极隔离；所述隔离部分覆盖有绝缘钝化膜。本发明前结电池正面的发射极向半导体基板的侧面甚至背面延伸，最大化发射极面积，增加了发射极面积，从而提升了电池效率。
主权项：1.太阳能电池结构，其特征在于，包括：半导体基板1，具有第一导电类型；背场5，位于所述半导体基板1的背面，且具有第一导电类型；所述背场5上设置有第一电极6；所述背场5包括多晶硅层、多晶硅层+第一隧穿层9或者在所述半导体基板1的背面引入同类型掺杂剂形成的重掺杂层；发射极3，位于所述半导体基板1的正面并向所述半导体基板1的侧面或背面延伸，覆盖至少部分侧面，所述发射极3具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述发射极3上设置有第二电极2；所述发射极3与所述半导体基板1之间可以选择性设置一层第二隧穿层或不设置第二隧穿层；以及隔离部分8，位于所述背场5与所述发射极3之间，以将所述背场5与所述发射极3隔离；所述隔离部分8覆盖有绝缘钝化膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英利能源发展有限公司 太阳能电池结构及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号