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摘要：本发明公开了一种塑封GaAs器件开封方法，包括：包括以下步骤：S1、将器件芯片表面的塑封料打薄；S2、将腐蚀液1水浴加热至75℃‑90℃，再用腐蚀液1对器件进行腐蚀至器件芯片露出；S3、用清洗液清洗，再用去离子水清洗后，烘干；S4、腐蚀液2对器件进行腐蚀，腐蚀时间为5s至15s；S5、用清洗液清洗，再用去离子水清洗。采用本方案设计的一种塑封GaAs器件开封方法不会损坏器件芯片钝化层和金属化层。
主权项：1.一种塑封GaAs器件开封方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将器件芯片表面的塑封料打薄；S2、将腐蚀液1水浴加热至75℃-90℃，再用腐蚀液1对器件进行腐蚀至器件芯片露出；S3、用清洗液清洗，再用去离子水清洗后，烘干；S4、腐蚀液2对器件进行腐蚀，腐蚀时间为5s至15s；S5、用清洗液清洗，再用去离子水清洗；其中，腐蚀液1的组成以体积比计，包括硫酸：发烟硝酸：冰醋酸：去离子水＝43.5-5：1.51.3-1.8：21.8-2.3：10.8-1.4；腐蚀液2的组成以体积比计，包括硫酸：去离子水＝98.5-10：10.5-2。
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百度查询： 重庆赛宝工业技术研究院有限公司 一种塑封GaAs器件开封方法
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