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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种稳态热阻的平板式半导体器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极金属层，漏极金属层的上方设置有衬底层，衬底层的上方设置有N+漂移区，N+漂移区的上方设置有半导体层，半导体层的上方两侧分别设置有导电接触层和导电金属层，导电接触层和导电金属层的上方分别设置有第二绝缘层和N－漂移区，N－漂移区和导电接触层之间设置有一号波形沟槽和二号波形沟槽，导电接触层的上方设置有第二绝缘层。该稳态热阻的平板式半导体器件，便于控制导通过程中的电流大小，提高半导体器件的工作稳定性与可靠性，且能够给封装后的元器件提供较高的安全性能，实现平板式半导体结构安装使用的便利高效性。
主权项：1.一种稳态热阻的平板式半导体器件，包括漏极金属层13，其特征在于，所述漏极金属层13的上方设置有衬底层1，所述衬底层1的上方设置有N+漂移区2，所述N+漂移区2的上方设置有半导体层3，所述半导体层3的上方两侧分别设置有导电接触层4和导电金属层11，所述导电接触层4和导电金属层11的上方分别设置有第二绝缘层15和N－漂移区6，所述N－漂移区6和导电接触层4之间设置有一号波形沟槽7和二号波形沟槽8，所述导电接触层4的上方设置有第二绝缘层15，所述第二绝缘层15和N－漂移区6的上方均设置有P+区16，两个所述P+区16的上方共同设置有深沟槽电极5，所述深沟槽电极5内设置有源极金属层10，所述衬底层1半导体层3的上方均设置有碳化硅曝光层9。
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权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种稳态热阻的平板式半导体器件
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