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申请/专利权人：CCR涂敷技术有限责任公司
摘要：本发明涉及一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD涂覆衬底、特别是通过PECVD可选地同时涂覆多个衬底表面的方法和设备。还提出了衬底在反应室中的特定布置和或移动以及用于该方法和或设备的特定操作参数。
主权项：1.一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD涂覆衬底2的方法，特别是优选地通过等离子体增强化学气相沉积同时涂覆多个衬底表面3的方法，其中至少一个待涂覆的衬底2布置和或引入在优选的封闭的反应室4中、特别是在真空室中，并且随后经受涂覆过程，其中在涂覆过程中，涂覆材料被施加和或沉积在衬底2的至少一个衬底表面3上、优选地在一个或多个衬底2的多个衬底表面3上、特别是在两个衬底表面3上，特别是使得至少基本上封闭的和或至少基本上均匀的涂覆材料层被产生和或发生在待涂覆的衬底表面3上，至少在某些区域，优选在整个表面上，其中硅用作涂覆材料，所述涂覆材料通过至少一种电感耦合等离子体7ICP由气氛生成、特别是原位生成，气氛包括任选地与至少一种惰性气体、优选氩气一起的含硅前体气体、优选至少一种硅烷、特别是单硅烷SiH4，和或由含硅前体气体、优选至少一种硅烷、特别是单硅烷SiH4组成，其中涂覆材料层作为硅层沉积和或产生；特别是其中硅层设计为：i至少基本上非晶的、特别是至少部分氢化的硅层，或者ii至少基本上结晶的、特别是微晶的硅层，或者iii具有结晶部分和非晶的、特别是至少部分氢化部分的硅层，优选地至少基本上非晶的硅层，其特别是包含氢化非晶硅a-Si:H或由氢化非晶硅a-Si:H组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： CCR涂敷技术有限责任公司 等离子体涂覆的方法和设备
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