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申请/专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
摘要：本申请提供了一种TOPCON叠层电池及其制备方法，晶硅底电池包括晶硅电极层、P型基底掺杂层、基底底面钝化层、硅衬底、基底表面钝化层、N型基底掺杂层、应力缓冲层和隧穿层；钙钛矿顶电池包括空穴传输层、钙钛矿吸收层、钙钛矿钝化层、电子传输层、钙钛矿缓冲层、钙钛矿电极层和减反射层。通过在N型基底掺杂层与隧穿层之间增设应力缓冲层，应力缓冲层可减少钙钛矿吸收层所收到的热膨胀应力，使得钙钛矿吸收层的上下表面受到的应力均衡，避免产生大量表面和界面缺陷，改善钙钛矿薄膜内部的应力分布，减少了钙钛矿薄膜下部的压缩应力，进而减少了TOPCON叠层电池在长期运行中的形变衰减，有助于提高TOPCON叠层电池的稳定性。
主权项：1.一种TOPCON叠层电池，包括晶硅底电池和设于所述晶硅底电池上的钙钛矿顶电池，其特征在于：所述晶硅底电池包括晶硅电极层、设于所述晶硅电极层的表面的P型基底掺杂层、设于所述P型基底掺杂层的表面的基底底面钝化层、设于所述基底底面钝化层的表面的硅衬底、设于所述硅衬底的表面的基底表面钝化层、设于所述基底表面钝化层的表面的N型基底掺杂层、设于所述N型基底掺杂层的表面的应力缓冲层和设于所述应力缓冲层的表面的隧穿层；所述钙钛矿顶电池包括设于所述隧穿层的表面的空穴传输层、设于所述空穴传输层的表面的钙钛矿吸收层、设于所述钙钛矿吸收层的表面的钙钛矿钝化层、设于所述钙钛矿钝化层的表面的电子传输层、设于所述电子传输层的表面的钙钛矿缓冲层、设于所述钙钛矿缓冲层的表面的钙钛矿电极层和设于所述钙钛矿电极层的表面的减反射层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳黑晶光电技术有限公司 一种TOPCON叠层电池及其制备方法
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