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申请/专利权人：沪硅精密陶瓷科技(苏州)有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：高纯氧化钇陶瓷的制备方法，以YF3为烧结助剂，在真空气氛中促进氧化钇陶瓷的致密化，同时实现对Na、Si、Fe等杂质的排除作用，获得高纯氧化钇陶瓷。该氧化钇陶瓷适用于半导体装备中的等离子体环境。
主权项：1.一种高纯氧化钇陶瓷的制备方法，其特征在于以高纯Y2O3粉体作为原料，以高纯YF3作为助剂，在真空或氢气气氛中高温1600-1850℃高温烧结。
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权利要求：
百度查询： 沪硅精密陶瓷科技(苏州)有限公司 中国科学院上海硅酸盐研究所 高纯氧化钇陶瓷的制备方法
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