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申请/专利权人：重庆理工大学;重庆平伟实业股份有限公司
摘要：本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点90℃，可在较低温度下实现铜‑铜的可靠互连，且低温润湿性能良好。受高熵合金高熵效应及迟滞扩散效应影响界面IMC生长缓慢，在长时间回流后仍能保持薄IMC层及稳定的力学性能，可显著提高焊点可靠性，适用于芯片的高可靠低温互连。
主权项：1.铋、铟、银及锌，成分按原子百分比计为25％-35％的锡、10％-26％铋、25％-35％的铟、5％的银及5％-10％的锌。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆理工大学 重庆平伟实业股份有限公司 一种用于芯片互连的全IMC相Sn-Bi-In-Ag-Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法
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