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摘要：一种利用TVS管漏电进行测试的方法。涉及一种半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤A：将双向TVS二极管放置在控制炉中；步骤B：设置控制炉的初始温度值、结束温度值和步进温度值；并将控制炉与信号发生器连接，通过信号发生器将控制炉升至的温度数值向功率器件测试仪传输；步骤C：在功率器件测试仪中设置漏电IR测试参数；步骤D：启动功率器件测试仪，获取温度T和漏电IR的对应关系，并转换成对应函数；步骤E：将N‑MOS器件、电阻、电压源、电流表和双向TVS二极管串联形成加热回路；本发明可查看器件的壳温和环境温度，通过耗散功率公式:P=（Tj‑Ta）Rth，P=（Tj‑Tc）Rth即可分别计算出芯片结到壳的热阻和芯片结到环境的热阻。

主权项：1.一种利用双向TVS管漏电进行测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：将双向TVS二极管放置在控制炉中；步骤B：设置控制炉的初始温度值、结束温度值和步进温度值；并将控制炉与信号发生器连接，通过信号发生器将控制炉升至的温度数值向功率器件测试仪传输；步骤C：在功率器件测试仪中设置漏电IR测试参数；步骤D：启动功率器件测试仪，获取温度T和漏电IR的对应关系，并转换成对应函数；步骤E：将N-MOS器件、电阻、电压源、电流表和双向TVS二极管串联形成加热回路；步骤F：在加热回路中，即N-MOS器件与双向TVS二极管之间连接P-MOS器件，P-MOS器件的漏极通过功率器件测试仪与电流表电性连接，形成测试回路；P-MOS器件的栅极通过信号控制器与N-MOS器件电性连接；步骤G：将热电偶温度测试仪的一个热偶连接至双向TVS二极管的壳表面，另一个热偶放置在距离双向TVS管一定距离的空气中；步骤H：通过信号控制器，进行加热回路和测试回路的工作状态的切换，当N-MOS启动时，通过电压源提供加热电流；当P-MOS启动时，通过功率器件测试仪获取漏电IR的数值，漏电IR的数值通过步骤D获得的对应函数输出对应的温度值Tj；步骤I：待结温稳定后，通过热电偶温度测试仪查看双向TVS二极管的壳温T壳温和环境温度T环境温度；此时认为双向TVS二极管的加热回路中电流值为电流表的数值I电流表，即加热功率P=I电流表*V钳位电压；根据热阻耗散公式热阻R=（T2-T1）P，可分别求出结到壳的热阻Rj-c=（T结温-T壳温）P，和结到环境的热阻Rj-a=（T结温-T环境温度）P。

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