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申请/专利权人:华远电气股份有限公司
摘要:本发明公开一种由双向TVS管构成的开关电源电压尖峰抑制电路,包括:二极管D1、双向TVS管D2、电阻R1、电阻R2、电容R1和MOS管Q1,MOS管Q1为NMOS管,双向TVS管D2的一端与电源正输入端、变压器T1的初级线圈的一端电性连接,双向TVS管D2的另一端与二极管D1的负极电性连接,二极管D1的正极与MOS管Q1的漏极、变压器T2初级线圈的另一端电性连接,MOS管Q1的栅极与电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C1的一端电性连接,MOS管Q1的源极、电阻R2的另一端、电容C2的另一端与电源负输入端电性连接,电阻R1的另一端与PWM信号端电性连接。本发明可以提升容错率和电压尖峰抑制效果。
主权项:1.一种由双向TVS管构成的开关电源电压尖峰抑制电路,其特征在于,包括:二极管D1、双向TVS管D2、电阻R1、电阻R2、电容R1和MOS管Q1,所述MOS管Q1为NMOS管,所述双向TVS管D2的一端与电源正输入端、变压器T1的初级线圈的一端电性连接,所述双向TVS管D2的另一端与所述二极管D1的负极电性连接,所述二极管D1的正极与所述MOS管Q1的漏极、变压器T2的初级线圈的另一端电性连接,所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C1的一端电性连接,所述MOS管Q1的源极、电阻R2的另一端、电容C2的另一端与电源负输入端电性连接,所述电阻R1的另一端与PWM信号端电性连接。
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