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申请/专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
摘要：本申请公开了一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法，其中一种释放氧化应力的VCSEL芯片包括：衬底；位于衬底一侧依次生长的缓冲层、N‑DBR层、N型掺杂层、有源区层、P型掺杂层、P‑DBR层和欧姆接触层；其中，P型掺杂层包括依次设置的第一掺杂层、第一超晶格结构层、氧化层、第二超晶格结构层和第二掺杂层，第一超晶格结构层和第二超晶格结构层分别包括交替生长的两种或多种材料层。本申请公开的一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法，在保证正常的电流限制能力的同时，将应力弛豫到上下两层超晶格结构层中，简化工艺步骤，提高生产效率，提升器件工作寿命及可靠性，能广泛应用于激光器制造领域。
主权项：1.一种释放氧化应力的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧依次生长的缓冲层、N-DBR层、N型掺杂层、有源区层、P型掺杂层、P-DBR层和欧姆接触层；其中，所述P型掺杂层包括依次层叠的第一掺杂层、第一超晶格结构层、氧化层、第二超晶格结构层和第二掺杂层，所述第一超晶格结构层和第二超晶格结构层分别包括交替生长的两种或多种材料层；所述第一超晶格结构层和所述第二超晶格结构层分别包括两层以上的材料层，所述材料层的材料为AlyGaAs，所述第一超晶格结构层和所述第二超晶格结构层中相邻的两个材料层中的y取值不相等，y的取值范围是大于0且小于0.9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法
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