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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明公开了基于光纤F‑P腔的压振复合碳化硅传感器及其制备方法和解调方法，属于光纤传感器技术领域。针对传统的光纤传感器只能对高温环境下单一参数进行测量的问题，本发明中提出了一种基于光纤F‑P腔的压振复合碳化硅传感器及其制备方法和解调方法，该传感器包括由压力敏感膜片、振动敏感单元和基底结构形成的碳化硅压振复合敏感芯片，且在碳化硅压振复合敏感芯片的底部设有中心孔准直管和侧孔准直管；中心孔准直管内设有中心孔光纤光栅，侧孔准直管内设有侧孔光纤。通过中心孔光纤光栅和侧孔光纤可以对压力腔、振动腔双F‑P腔光谱信号进行调制与集成，实现对同一测点下压力、振动信号的同时测量，降低传感器对结构、流场的侵入性，提高测量精度。
主权项：1.基于光纤F-P腔的压振复合碳化硅传感器，包括碳化硅压振复合敏感芯片，其特征在于：碳化硅压振复合敏感芯片的底部设有中心孔准直管（7）和侧孔准直管（8）；中心孔准直管（7）内设有中心孔光纤光栅（9），侧孔准直管（8）内设有侧孔光纤（10）；碳化硅压振复合敏感芯片从上往下依次包括压力敏感膜片（1）、振动敏感单元（2）和基底结构（3），中心孔准直管（7）和侧孔准直管（8）均与基底结构（3）连接；振动敏感单元（2）包括固支梁（4）和质量块（5），质量块（5）位于固支梁（4）的中心，且质量块（5）的中心开设有通孔（6）；基底结构（3）上开设有用于安装中心孔准直管（7）的中心孔（301），以及用于安装侧孔准直管（8）的侧孔（302），中心孔（301）与通孔（6）同轴。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 基于光纤F-P腔的压振复合碳化硅传感器及其制备方法和解调方法
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