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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法，该芯片包括设于衬底之上的多个发光单元，相邻两个发光单元之间通过隔离槽分隔，每个发光单元均包括设于P型半导体层之上的第一金属反射层；还包括第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层；第一绝缘层层叠设于第一金属反射层远离P型半导体层的一侧表面，第一绝缘层远离第一金属反射层的一侧表面层叠设有第二金属反射层，第一绝缘层与第二金属反射层覆盖隔离槽，并且，第二金属反射层的面积为衬底面积的85％以上。本发明解决了现有技术中倒装高压发光二极管芯片普遍存在反射层在隔离槽处的厚度变薄，导致反射层的反射能力降低，最终导致倒装高压发光二极管芯片的外量子效率低的问题。

主权项：1.一种倒装高压发光二极管芯片，所述芯片包括设于衬底之上的多个发光单元，相邻两个发光单元之间通过隔离槽分隔，其特征在于，每个所述发光单元均包括设于P型半导体层之上的第一金属反射层，还包括第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层；其中，所述第一绝缘层层叠设于所述第一金属反射层远离所述P型半导体层的一侧表面，所述第一绝缘层远离所述第一金属反射层的一侧表面层叠设有第二金属反射层，所述第一绝缘层与所述第二金属反射层覆盖所述隔离槽，所述第二绝缘层层叠设于所述第二金属反射层远离所述第一绝缘层的一侧表面，所述第二绝缘层远离所述第二金属反射层的一侧表面层叠设有导电金属层，所述第三绝缘层层叠设于所述导电金属层远离所述第二绝缘层的一侧表面，所述第三绝缘层远离所述导电金属层的一侧表面层叠设有与所述导电金属层电性连接的焊盘层，所述第二金属反射层的面积为衬底面积的85％以上；衬底以及每个发光单元的N型半导体层、有源发光层与P型半导体层是依次层叠设置的，而第一金属反射层、第一绝缘层、第二金属反射层、第二绝缘层、导电金属层、第三绝缘层以及焊盘层是依次层叠设于P型半导体层之上的；相邻两个所述发光单元之间，所述隔离槽的角度为40-80°，所述第一金属反射层与第二金属反射层均包括层叠设置的Ag金属、Ti金属与Pt金属，所述Ag金属的厚度为所述Ti金属的厚度为所述Pt金属的厚度为其中，所述第一金属反射层与所述第二金属反射层相互配合以用于反射光线，且所述导电金属层包括P型导电金属层与N型导电金属层，所述P型导电金属层与位于P型半导体层之上的所述第一金属反射层接触以形成电性连接。

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