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申请/专利权人：深圳市美矽微半导体股份有限公司
摘要：本申请公开了一种电阻结构，包括：P型衬底，NWELL层，NWELL层设置在P型衬底上，NDIFF层，NDIFF层设置在NWELL层上，NDIFF层包括两个第一端口，两个第一端口位于分别设置于NDIFF层两端，两个第一端口用于接工作电压，其中，两个第一端口分别为输入端和输出端，P型衬底包括多个第二端口，多个第二端口围绕NWELL层，第二端口用于接地。本申请提供的电阻结构能够同时具有强过电流能力、耐高压以及占用面积小的优点。
主权项：1.一种电阻结构，其特征在于，包括：P型衬底；NWELL层，所述NWELL层设置在所述P型衬底上；NDIFF层，所述NDIFF层设置在所述NWELL层上；所述NDIFF层包括两个第一端口，所述两个第一端口位于分别设置于所述NDIFF层两端，所述两个第一端口用于接工作电压，其中，所述两个第一端口分别为输入端和输出端；所述P型衬底包括多个第二端口，所述多个第二端口围绕所述NWELL层，所述第二端口用于接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市美矽微半导体股份有限公司 一种电阻结构
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