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宽带高性能的低噪声放大器 

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申请/专利权人:深圳国际量子研究院

摘要:本发明公开的宽带高性能的低噪声放大器包括放大模块和供电模块;放大模块包括:第一晶体管、第二晶体管、输入匹配单元、级间匹配单元、输出匹配单元、负反馈单元以及电流复用单元,负反馈单元用于拓展放大器的带宽,负反馈单元分别与第二晶体管的栅极以及输出匹配单元连接;电流复用单元与第一晶体管的源极、第一晶体管的漏极以及第二晶体管的源极连接。本发明技术方案中,两个分立的放大模块依次对信号进行处理,以保证增益足够大,提升了增益,并降低了噪声系数,电流复用单元复用了第二晶体管的电流,降低了整体功耗,且负反馈单元增强了放大器的稳定性,使对增益、带宽、功耗及噪声系数同时进行了优化。

主权项:1.一种宽带高性能的低噪声放大器,其特征在于,包括:放大模块,用于对信号进行放大处理;其中,所述放大模块包括:第一晶体管;第二晶体管;输入匹配单元,所述输入匹配单元的输出端与所述第一晶体管的栅极连接,所述输入匹配单元的输入端用于接收输入信号;级间匹配单元,用于进行噪声匹配和共轭匹配,所述级间匹配单元的输入端与所述第一晶体管的漏极连接,所述级间匹配单元的输出端与所述第二晶体管的栅极连接;输出匹配单元,用于进行阻抗匹配,所述输出匹配单元的输入端与所述第二晶体管的漏极连接;负反馈单元,用于拓展放大器的带宽,所述负反馈单元分别与所述第二晶体管的栅极以及所述输出匹配单元连接;电流复用单元,用于使所述第一晶体管复用所述第二晶体管的电流以降低功耗,所述电流复用单元与所述第一晶体管的源极、所述第一晶体管的漏极以及所述第二晶体管的源极连接;所述放大模块设置有两个,其中一个放大模块中的输入匹配单元的输入端与信号输入端连接,另一个放大模块中的输出匹配单元的输出端与信号输出端连接,与信号输出端连接的所述放大模块中的输入匹配单元的输入端连接至与信号输出端连接的所述放大模块中的输出匹配单元的输出端;所述低噪声放大器还包括:供电模块,用于输出第一电压至所述放大模块,所述供电模块分别与两个所述放大模块连接。

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权利要求:

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