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申请/专利权人：东北师范大学
摘要：本发明公开了基于界面缺陷电荷长期存储的WS2h‑BN场效应晶体管及其制备方法。基于界面缺陷电荷长期存储的WS2h‑BN场效应晶体管他包括：硅二氧化硅衬底，WS2h‑BN异质结、金属电极、器件沟道。上述的硅二氧化硅衬底作为最下层的承载物，利用PDMS对于商用二维WS2和h‑BN体材料进行前夕剥离和转移。其中，引入了紫外光处理，用于增强二维界面存储电荷的能力和单位面积的缺陷密度。本发明通过改变紫外光处理的功率，结合后期电学加工和表征，实现了二维图像的长期高效记忆，并可利用于图像加密的功能开发。
主权项：1.基于界面缺陷电荷长期存储的WS2h-BN场效应晶体管，其特征在于：由下至上依次为硅二氧化硅衬底、六方氮化硼二维薄层、WS2二维薄层、两块金属电极；所述的六方氮化硼二维薄层的上表面和WS2二维薄层的下表面经过了紫外曝光处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东北师范大学 一种基于界面缺陷电荷长期存储的WS2/h-BN场效应晶体管及其制备方法
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