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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的一侧形成停止层；在所述停止层背离所述衬底的一侧形成半导体层；形成贯穿所述半导体层和所述停止层的第一通孔；在所述第一通孔的部分内壁和部分底部形成栅极结构。
主权项：一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的一侧形成停止层；在所述停止层背离所述衬底的一侧形成半导体层；形成贯穿所述半导体层和所述停止层的第一通孔；在所述第一通孔的部分内壁和部分底部形成栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统
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