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申请/专利权人：青岛海存微电子有限公司
摘要：本申请实施例提供一种磁存储结构及磁存储模块，应用于磁性电子器件领域，在磁隧道结下方通入与磁隧道结磁化方向平行或反平行的电流，以将磁隧道结的磁向发生偏转，通过对电流撤回操作，可将磁隧道结的磁化方向随机翻转为与原磁化方向相同或相反的方向，且随机的概率接近50%，再通过磁隧道结存储数据，以实现基于PUF的数据存储。
主权项：1.一种磁存储结构，其特征在于，包括：磁隧道结、在所述磁隧道结下方布置的底电极层；所述底电极层通入与所述磁隧道结的磁化方向平行或反平行的PUF电流，随机翻转所述磁隧道结的磁化方向；所述底电极层的形状设置为长方形；所述磁隧道结存储数据；所述磁隧道结的长宽比大于预设阈值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛海存微电子有限公司 磁存储结构及磁存储模块
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