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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明公开了一种晶圆传片位置校准方法、装置及应用其的薄膜沉积设备，该方法包括：获取用于支撑晶圆的至少三个支撑位在腔体中的空间位置，根据空间位置确定晶圆与腔体之间的水平度偏差，并基于水平度偏差对支撑位的水平度进行调平；将晶圆传入到腔体中并放置在支撑位上；获取晶圆在腔体中的第一中心位置和加热器在腔体中的第二中心位置，根据第一中心位置和第二中心位置确定晶圆与加热器之间的中心位置偏差，并根据中心位置偏差来对晶圆的传片位置进行校准。本申请可以精准地识别出晶圆与腔体之间的水平度偏差，晶圆与加热器之间的中心位置偏差，基于此能够一次性完成晶圆的传片位置校准，无需多次调试，提高了校准的精确性和校准效率。
主权项：1.一种晶圆传片位置校准方法，其特征在于，所述方法包括：获取用于支撑晶圆的至少三个支撑位在腔体中的空间位置，根据所述空间位置确定所述晶圆与所述腔体之间的水平度偏差，并基于所述水平度偏差对所述支撑位的水平度进行调平；将所述晶圆传入到所述腔体中并放置在所述支撑位上；获取所述晶圆在所述腔体中的第一中心位置和加热器在所述腔体中的第二中心位置，根据所述第一中心位置和所述第二中心位置确定所述晶圆与所述加热器之间的中心位置偏差，并根据所述中心位置偏差来对所述晶圆的传片位置进行校准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 晶圆传片位置校准方法、装置及应用其的薄膜沉积设备
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