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一种全相域低相位误差的高性能宽带电调移相器 

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申请/专利权人:南京邮电大学

摘要:本发明公开了一种全相域低相位误差的高性能宽带电调移相器,属于射频微波技术领域,电调移相器包括上层移相器结构,中间层微波介质基板和下层接地金属板;其中移相器结构包括带有第一电容的输入端口馈线,带有第二、三隔直电容和第一、二PIN二极管的选路微带线,一头连接第四隔直电容一头连接耦合器的传输微带线,还有耦合器,反射负载以及输出馈线;而反射负载结构采用新型结构,具体包括两个变容管,一个电感以及一段M型传输线,并分别通过第五隔直电容连接于耦合器的直通端和耦合端,负载末端通过金属过孔接地。本发明在保证整体结构简单,大相移范围的同时,解决了传统反射式移相器无法实现宽带化,以及小相位误差的问题。

主权项:1.一种全相域低相位误差的高性能宽带电调移相器,其特征在于,包括上层移相器结构1,中间层微带介质基板2以及下层接地金属板3;所述上层移相器结构1包括:一个180°反射型移相器,包括3dB正交耦合器14和两个新型反射负载,所述3dB正交耦合器14包括输入信号的输入端,输出信号的隔离端,以及反射信号的直通端和耦合端;所述反射负载包括并联的第一谐振回路与第二谐振回路;所述第一谐振回路包括第一电感17和第一变容管16;所述第二谐振回路包括M型传输线18与第二变容管19;所述M型传输线18位于所述3dB正交耦合器14直通端或耦合端与第二变容管19之间;一个180°开关型移相器,包括输入端口馈线4到槽线的传输结构以及相位状态控制部分,所述相位状态控制部分的输出端与所述3dB正交耦合器14的输入端相连;所述下层接地金属板3,包括开关型移相器中的槽线结构6。

全文数据:

权利要求:

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