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申请/专利权人：先导薄膜材料(安徽)有限公司
摘要：本公开提供了一种铜靶及其晶粒取向的控制方法，属于靶材制备技术领域。本公开将第一铜铸件依次通过冷锻、第一热处理、静压处理、冷轧和第二热处理，并通过对静压处理和冷轧的形变量进行控制，实现对铜靶的晶粒尺寸和晶粒取向的控制，使得铜靶的晶粒尺寸≤20μm，晶面指数为110的晶粒占比45％，满足12寸以上半导体集成电路对于晶粒尺寸和晶粒取向的双重要求。本公开所述晶粒取向的控制方法操作简单，制作成本低，适合工业化应用。
主权项：1.一种铜靶的晶粒取向的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将第一铜铸件进行冷锻后得到第二铜铸件；S2：将第二铜铸件进行第一热处理，得到第三铜铸件；S3：将第三铜铸件进行静压处理，得到第四铜铸件；其中，静压处理的总变形量为40-90％；S4：将第四铜铸件进行冷轧后，再经第二热处理得到铜靶，其中冷轧的总变形量为30-60％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先导薄膜材料(安徽)有限公司 一种铜靶及其晶粒取向的控制方法
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