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申请/专利权人：株式会社力森诺科
摘要：一种热固性的半导体用黏合膜，其用于在埋入与其他半导体芯片连接的导线的同时将半导体芯片黏合于被粘附体上。黏合膜在90～180℃的范围内显示2500Pa·s以上且10000Pa·s以下的最低熔融粘度。最低熔融粘度为通过在升温速度5℃分钟及频率1Hz的条件下测定包含90～180℃的范围的温度范围的黏合膜的动态粘弹性而求出的值。
主权项：1.一种热固性的半导体用黏合膜，其用于在埋入与其他半导体芯片连接的导线的同时将半导体芯片黏合于被粘附体上，该黏合膜在90～180℃的范围内显示2500Pa·s以上且10000Pa·s以下的最低熔融粘度，所述最低熔融粘度为通过在升温速度5℃分钟及频率1Hz的条件下测定包含90～180℃的范围的温度范围的该黏合膜的动态粘弹性而求出的值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社力森诺科 半导体用黏合膜、切割晶粒接合膜及制造半导体装置的方法
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