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申请/专利权人:桂林电子科技大学
摘要:本发明公开了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路,由跨导运算放大器、第二级放大器、下冲抑制电路和电压输出模块组成。该电路采用米勒电容补偿结构,在无片外电容的情况下,能很好的保持电路的稳定性;此外,本发明的LDO提出了一种下冲抑制结构,当输出从轻载向重载突变时,输出电压V0和跨导运算放大器的反馈电压VFB会出现下冲尖峰,下冲尖峰通过环路使得M20栅极电压产生一个向上跳变的电压,使得开关管M20打开,放电通路被导通,功率管MP栅极电压下降,为负载提供电流,输出电压VO恢复正常,该结构能显著减小下冲电压,提高LDO的瞬态响应性能。
主权项:1.一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路,其特征在于包括跨导运算放大器、第二级放大器、下冲抑制电路和电压输出模块;跨导运算放大器用于比较反馈电压和参考电压,并产生控制电压输出模块中PMOS功率管的输出;第二级放大器用于进一步放大跨导运算放大器的输出,从而使电压输出模块中PMOS功率管的输出更稳定;下冲抑制电路用于为PMOS功率管提供栅极到地信号端的放电通路,从而降低电路输出的下冲电压,提高瞬态响应能力;电压输出模块用于根据第二级放大器的输出来控制PMOS功率管,PMOS功率管的漏极作为LDO电路的输出,并通过反馈电阻网络把输出电压反馈到跨导运算放大器的另一个输入端。
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百度查询: 桂林电子科技大学 一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路
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