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申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司
摘要：本申请公开高频响应的复合单晶薄膜及其制备方法，及调制器，其中，复合单晶薄膜从下到上依次至少包括：高介电常数材料层、低介电常数材料层、电光晶体薄膜层。低介电常数材料层与电光晶体薄膜层中还设置隔离层，该薄膜兼顾硅材料工艺成熟度及低介电材料的高频响应特性应用于调制器。制备方法包括高介电常数材料层和低介电常数材料层键合得第一键合体；电光晶体材料进行离子注入并键合剥离得到复合单晶薄膜，或在第一键合体沉积隔离层与电光晶体薄膜层键合；还包括在另一高介电常数材料层生成氧化层与电光晶体薄膜层键合后与第一键合体隔离层键合，腐蚀，得到复合单晶薄膜。制备方法具备应力小，周期短，与现有工艺兼容度高，利于规模化生产。
主权项：1.一种复合单晶薄膜，其特征在于，所述复合单晶薄膜从下到上依次至少包括：高介电常数材料层，低介电常数材料层，电光晶体薄膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 高频响应的复合单晶薄膜及其制备方法，及调制器
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