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光刻版及集成电路的制造方法 

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申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

摘要:本发明涉及一种光刻版及集成电路的制造方法。该光刻版包括多个用于光刻对位的光栅图形单元,光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形和多个间隙区域图形,至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同,间隙区域图形与膜层保留区域图形间隔排列,间隙区域图形的数量与膜层保留区域图形的数量相同,且大于等于2;其中,间隙区域图形的最大宽度小于光栅图形单元的宽度的一半。与传统的光刻版上的光栅图形单元相比,制作工艺的波动对晶圆上本申请中的光栅图形单元的形貌的影响较小,光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好,不易生成填充不足的光栅图形单元,可以较大程度的减小光刻工艺的返工率,降低生产成本。

主权项:1.一种光刻版,包括多个用于光刻对位的光栅图形单元,其特征在于,所述光栅图形单元包括:多个膜层保留区域图形,所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域,至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同;多个间隙区域图形,所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域,所述间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列,所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同,且大于等于2;其中,所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半,所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和,所述光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度均与相邻的所述间隙区域图形的宽度不相同,所述光栅图形单元的宽度与1阶衍射光的反射方向有关。

全文数据:

权利要求:

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