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申请/专利权人：广西师范大学

摘要：本发明公开了一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，包括偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、高温补偿电路和低温补偿电路；依次连接偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、低温补偿电路和高温补偿电路；偏置与电源电压调节电路的主要作用是调节电源电压和为两个放大器提供偏置电压；OP1用于提高电路的电源电压抑制比，OP2用于带隙基准的核心；高温补偿和低温补偿电路产生的电流对带隙基准的低温段和高温段的输出参考电压进行补偿，本发明提高了电源电压抑制比以及降低了温漂系数，得到一个稳定的参考电压，减低外部影响。

主权项：1.一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，包括偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、高温补偿电路和低温补偿电路；依次连接偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、低温补偿电路和高温补偿电路；所述偏置产生与电源电压预调节电路包含PMOS管M1、M2、M3、M4、M7，M11，NMOS管M5、M6、M8、M10、M12，电阻R1、R2、R3以及运算放大器OP1；所述运算放大器OP1的正向输入端连接NMOS管M5的源极、NMOS管M6的栅极以及电阻R1电流输入端；所述的运算放大器OP1的反向输入端连接所述NMOS管M10的栅极、漏极以及所述电阻R2电流输出端；所述运算放大器OP1的输出端连接PMOS管M7的栅极；所述的电阻R2电流输入端连接NMOS管M8的源极；所述的电阻R3电流输入端连接NMOS管M12的源极；所述的PMOS管M1的栅极连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的源极；所述的PMOS管M2的漏极连接PMOS管M4的源极；所述的PMOS管M3的漏极连接NMOS管M5的漏极；所述的PMOS管M4的漏极连接NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的漏极，以及NMOS管M12的栅极；所述PMOS管M7的漏极连接NMOS管M8的漏极、栅极，以及PMOS管M11的源极；所述的PMOS管M7的漏极输出预调节电压VDDL；所述的NMOS管M12的漏极连接PMOS管M11的栅极、PMOS管M11的漏极；所述的PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极、NMOS管M7的源极连接电源电压VDD；所述的PMOS管M3的栅极、PMOS管M4的栅极、NMOS管M6的源极、电阻R1电流输出端、电阻R3电流输出端和NMOS管M10的源极连接GND；所述带隙基准核心电路包含PMOS管M13、M14、M15、M16、M17、M18，电阻R4、R5、R6，运算放大器OP2；所述运算放大器OP2的正向输入端连接PMOS管M15的漏极和PMOS管M16的漏极、栅极和源极；所述运算放大器OP2的反向输入端连接PMOS管M13的漏极和电阻R4电流输入端；所述运算放大器OP2的输出端VOP2连接PMOS管M13的栅极，PMOS管M15的栅极，以及PMOS管M17的栅极；所述的电阻R4电流输出端连接PMOS管M14的漏极、栅极、源极；所述的电阻R5电流输入端连接PMOS管M17的漏极，所述的电阻R5电流输出端连接所述电阻R6电流输入端；所述的电阻R5电流输入端连接参考电压Vref；所述的电阻R6电流输入端连接补偿电压VN；所述的电阻R6电流输出端连接PMOS管M18的漏极、源极、栅极；所述的PMOS管M14的基极、PMOS管M16的基极、PMOS管M18的基极连接GND；所述的PMOS管M13的源极、PMOS管M15的源极、PMOS管M17的源极连接预调节电压VDDL；所述低温补偿电路包含PMOS管M19、M21、M23、M25、M26、M28、M29、M30，NMOS管M20、M22、M24、M27；所述的PMOS管M19的栅极、PMOS管M23的栅极，以及PMOS管M28的栅极连接放大器OP2的输出端；所述的PMOS管M19的漏极连接NMOS管M20的栅极、漏极，以及NMOS管M22的栅极；所述的PMOS管M21的栅极连接所述的PMOS管M21的漏极、NMOS管M22的漏极，NMOS管M24的栅极，以及NMOS管M27的栅极；所述PMOS管M23的漏极连接NMOS管M24的漏极、PMOS管M25的漏极和栅极，以及PMOS管M26的栅极；所述的PMOS管M26的漏极输出第一路低温补偿电流ID26，PMOS管M30的漏极输出第二路低温补偿电流ID30；所述PMOS管M26的漏极连接PMOS管M30漏极；所述的PMOS管M28的漏极连接NMOS管M27的漏极，PMOS管M29的栅极、漏极，以及PMOS管M30的栅极；所述的PMOS管M19的源极、PMOS管M21的源极、PMOS管M23的源极、PMOS管M25的源极、PMOS管M26的源极、PMOS管M28的源极、PMOS管M29的源极，以及PMOS管M30的源极连接预调节电压VDDL；所述的NMOS管M20的源极，NMOS管M22的源极，NMOS管MM24的源极，NMOS管M27的源极连接GND；所述高温补偿电路包含PMOS管M31、M34、M35、M37、M40、M41，NMOS管M32、M33、M36、M38、M39、M42；所述的PMOS管M31的栅极，PMOS管M37的栅极连接运算放大器OP2的输出端；所述的PMOS管M31的源极，PMOS管M34的源极，PMOS管M37的源极，PMOS管M40的源极，PMOS管M41的源极连接预调节电压VDDL；所述的PMOS管M31的漏极连接所述的NMOS管M32的漏极，NMOS管M33的漏极和栅极，以及NMOS管M36的栅极；所述的PMOS管M34的漏极连接PMOS管M34的栅极，PMOS管M35的栅极，以及NMOS管M36的漏极；所述的PMOS管M35的漏极输出第一路高温补偿电流ID35，PMOS管M41的漏极第二路高温输出补偿电流ID41；所述PMOS管M35的漏极连接PMOS管M41的漏极；所述的PMOS管M37的漏极连接所述的NMOS管M38的漏极，NMOS管M39的漏极、栅极，以及PMOS管M42的栅极；所述的NMOS管M38的栅极连接NMOS管M32的栅极；所述的PMOS管M40的漏极连接PMOS管M40的栅极，PMOS管M41的漏极、栅极，以及PMOS管M42的漏极；所述的NMOS管M32的源极，NMOS管M33的源极，NMOS管M38的源极，NMOS管M39的源极，以及NMOS管M42的源极连接GND。

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