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一种混合调制器及制备方法 

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申请/专利权人:上海新硅聚合半导体有限公司

摘要:本申请公开了一种混合调制器及制备方法,其中,一种混合调制器,包括绝缘体上铌酸锂结构,绝缘体上铌酸锂结构包括依次层叠设置的硅衬底层、二氧化硅光隔离层和铌酸锂薄膜层;在铌酸锂薄膜层远离二氧化硅光隔离层的一侧,有至少两个间隔设置的电极层;至少两个电极层之间设置有二氧化硅介质层;至少两个二氧化硅介质层之间设置有氮化硅波导层;氮化硅波导层上设置有硅波导层。由于在硅波导层和铌酸锂薄膜层之间加入了氮化硅材料作为过渡波导,本混合调制器实现了硅材料与铌酸锂材料的光学集成。同时,氮化硅材料作为加载条形波导,可以避免在混合调制器制备过程中铌酸锂材料受刻蚀,从而易于设计无源器件。

主权项:1.一种混合调制器,其特征在于:包括绝缘体上铌酸锂结构,所述绝缘体上铌酸锂结构包括依次层叠设置的硅衬底层1、二氧化硅光隔离层2和铌酸锂薄膜层3;在所述铌酸锂薄膜层3远离所述二氧化硅光隔离层2的一侧,有至少两个间隔设置的电极层4;至少两个所述电极层4之间设置有二氧化硅介质层5;至少两个所述二氧化硅介质层5之间设置有氮化硅波导层6;所述氮化硅波导层6上设置有硅波导层7。

全文数据:

权利要求:

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