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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：自旋电子装置包括第一铁磁层。第一铁磁层包括第一磁极化方向。此外，自旋电子装置包括第二铁磁层。第二铁磁层包括与第一方向相对的第二磁极化方向。此外，自旋电子装置包括长自旋寿命层。此外，自旋电子装置包括设置在第一铁磁层和长自旋寿命层之间的第一隧道势垒层。此外，自旋电子装置包括设置在第二铁磁层和长自旋寿命层之间的第二隧道势垒层。
主权项：1.一种自旋电子装置，包括：包括第一磁极化方向的第一铁磁层；包括与所述第一磁极化方向相对的第二磁极化方向的第二铁磁层；长自旋寿命层；设置在所述第一铁磁层和所述长自旋寿命层之间的第一隧道势垒层；以及设置在所述第二铁磁层和所述长自旋寿命层之间的第二隧道势垒层；其中，所述自旋电子装置还包括：耦合到所述长自旋寿命层的第一电极结构，耦合到所述第一铁磁层的第二电极结构和耦合到所述第二铁磁层的第三电极结构；以及其中所述第二电极结构和所述第三电极结构之间的隧道磁阻为：所述第二电极结构和所述第三电极结构之间的电阻与所述自旋电子装置的电阻的差除以所述自旋电子装置的电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 自旋电子装置、双工器、收发器和电信装置
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