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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法。该微盘腔包括：氧化硅片；氧化硅片包括硅基衬底和氧化硅半导体层；氧化硅半导体层包括功能区和非功能区；功能区包括波导结构、微盘结构及位于微盘结构内的第一开口；非功能区包括第二开口；微盘结构与第一开口构成微盘腔；第一扩展腔和第二扩展腔；第一扩展腔由第一开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内；第二扩展腔由第二开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内；第一扩展腔与第二扩展腔连通；波导结构和微盘结构在硅基衬底的垂直投影位于第一扩展腔和第二扩展腔组成的连通结构内。本发明实施例降低了光在波导结构中的传输损耗以及提高了微盘腔的品质因子。
主权项：1.一种片上集成波导的微盘腔，其特征在于，包括：氧化硅片；所述氧化硅片包括硅基衬底和氧化硅半导体层；所述氧化硅半导体层包括功能区和非功能区；所述功能区包括波导结构、微盘结构及位于所述微盘结构内的第一开口；所述非功能区包括第二开口；所述微盘结构与所述第一开口构成微盘腔；第一扩展腔和第二扩展腔；所述第一扩展腔由所述第一开口沿垂直于所述硅基衬底所在平面的方向延伸至所述硅基衬底内；所述第二扩展腔由所述第二开口沿垂直于所述硅基衬底所在平面的方向延伸至所述硅基衬底内；所述第一扩展腔与所述第二扩展腔连通；所述波导结构和所述微盘结构在所述硅基衬底的垂直投影位于所述第一扩展腔和所述第二扩展腔组成的连通结构内；其中，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化硅半导体层的所述非功能区，以使所述氧化硅半导体层的所述功能区形成波导结构和微盘结构；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述微盘结构内的氧化硅半导体层以及部分所述非功能区的所述氧化硅半导体层，以在所述微盘结构内形成第一开口以及在所述非功能区中形成第二开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法
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