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摘要：本发明提供汽车微机电系统ASIC芯片的保护电路及微机电系统，属于汽车电子MEMS技术领域。该电路包括：第一保护模块。电容单元的第一端作为第一保护模块的输入端，用于接收ASIC芯片端口的静电。电容单元用于在接收到静电后控制第一NMOS晶体管的漏源导通，并通过接地的第二电阻泄放静电。第二NMOS晶体管用于在第一NMOS晶体管的漏源导通后，基于第一NMOS晶体管的源端电压控制寄生三极管的基极，导通寄生三极管、形成泄放通道。本发明在传统GGNMOS结构的第一NMOS晶体管导通之后，通过衬底驱动的第二NMOS晶体管以形成寄生三极管导通泄放通道，增强了对大电流静电的泄放能力。
主权项：1.汽车微机电系统ASIC芯片的保护电路，其特征在于，所述汽车微机电系统为电容式MEMS结构芯片；所述保护电路包括：第一保护模块；所述第一保护模块包括电容单元、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一电阻和第二电阻；所述电容单元的第一端作为所述第一保护模块的输入端，用于接收ASIC芯片端口的静电；所述电容单元的第一端连接第一NMOS晶体管的漏极；所述电容单元的第二端连接第一NMOS晶体管的栅极，且通过第一电阻接地；第一NMOS晶体管的源极与衬底相连且通过第二电阻接地；所述电容单元用于在接收到静电后控制第一NMOS晶体管的漏源导通，并通过接地的第二电阻泄放静电；第二NMOS晶体管的漏极连接所述电容单元的第一端，衬底连接第一NMOS晶体管的源极，源极与栅极相连后接地；所述第二NMOS晶体管用于在第一NMOS晶体管的漏源导通后，基于第一NMOS晶体管的源端电压控制寄生三极管的基极，导通寄生三极管、形成泄放通道；所述电容单元包括PMOS晶体管；所述PMOS晶体管的漏极作为电容单元的第一端，其中，PMOS晶体管的漏极、衬底和源极相互连接；PMOS晶体管的栅极作为电容单元的第二端，连接第一NMOS晶体管的栅极；PMOS晶体管的源极连接第二NMOS晶体管的漏极。
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