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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司

摘要：公开了向3DXpoint芯片键合ASIC或FPGA芯片的SSD、方法和集成架构。将3DXpoint存储单元引入到易失性存储器系统和非易失性存储器系统两者中以缩小电路面积。FPGA中的寄存器和片上存储器BRAM属于相应的控制逻辑单元，以进行对不必要的仲裁高速缓存的消除。与周围逻辑单元的FPGA的逻辑单元连接是在重新编程编程时间处确定的，而无需通过共享存储器进行通信。Xtacking技术将主控制ASIC和或FPGA芯片键合至SSD以缩小电路面积。通过这种架构消除了SRAM高速缓存，从而缩小了电路面积和关键路径的连接距离，由此降低了延迟和功耗。通过这种集成架构显著提高了数据处理访问速度和效率。这种键合技术还降低了布线距离、寄生RC影响，改善了系统集成，缩短了工艺制造周期，降低了PCB板比率，并且增大了电路设计工艺窗口。

主权项：1.一种固态存储装置，包括：控制器芯片，所述控制器芯片被配置为专用集成电路ASIC芯片和或现场可编程门阵列FPGA芯片，并且所述控制器芯片包括：控制器晶圆；多个连接器中的第一组连接器，所述第一组连接器具有第一部分和第二部分；通过所述第一组连接器的所述第一部分与所述控制器晶圆接合的电路块，其中，所述电路块包括可配置逻辑块；通过多个互连与所述第一组连接器的所述第二部分接合的界面；以及与所述控制器芯片的所述界面接合的存储器芯片，所述存储器芯片被配置为3DXpoint芯片，并且所述存储器芯片包括：存储器晶圆；第一存储阵列，包括：多个存储单元；多个选择器；耦接至所述选择器的多条字线，所述多条字线中的第一字线与所述第一存储阵列的第一末端相邻，并且所述多条字线中的第二字线与所述存储阵列的第二末端相邻；以及耦接至所述存储单元的多条位线；将所述多条字线耦接至所述存储器晶圆的多条字线接触；以及将所述多条位线耦接至所述多个连接器的第一多条位线接触，其中，所述多条字线在与所述存储器晶圆平行的第一平面中延伸，并且所述存储单元和所述选择器串联耦接在所述字线和所述位线之间，其中，所述控制器芯片进一步包括与所述电路块相邻的逻辑电路的一部分，所述逻辑电路的一部分包括：所述多个连接器中的第二组连接器，所述第二组连接器具有第一部分和第二部分，所述第二组连接器的所述第一部分与所述控制器晶圆接合，并且所述第二组连接器的所述第二部分与所述多个互连接合，并且其中，所述控制器芯片进一步包括第二3DXpoint存储阵列，其中，所述第一组连接器具有第三部分，并且所述第二3DXpoint存储阵列通过第二多条位线接触与所述第一组连接器的所述第三部分接合。

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百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 采用向3D交叉点芯片键合ASIC或FPGA芯片的多重集成方案