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摘要：本申请涉及一种集成MEMS和ASIC的封装结构及其制作方法，属于谐振器制造技术领域。其中包括SOI晶圆，SOI晶圆的顶层硅表面设置有第一区域和第二区域，第一区域内设置有ASIC驱动电路单元，第二区域内设置有MEMS谐振器单元。SOI晶圆表面设置有金属连接层，ASIC驱动电路单元和MEMS谐振器单元之间通过金属连接层连接，ASIC驱动电路单元用于激励MEMS谐振器单元的振动，并处理MEMS谐振器单元的输出信号。通过将MEMS谐振器单元和ASIC驱动电路单元设置在同一个SOI晶圆上，不需要进行MEMS谐振器单元和ASIC驱动电路单元的堆叠和减薄，因此封装壳体的体积可以做的更小，使MEMS谐振器单元和ASIC驱动电路单元之间的集成化程度更高。
主权项：1.一种集成MEMS和ASIC的封装结构，其特征在于，包括SOI晶圆100，所述SOI晶圆100的顶层硅130表面设置有第一区域和第二区域，所述第一区域内设置有ASIC驱动电路单元200，所述第二区域内设置有MEMS谐振器单元300；所述SOI晶圆100表面设置有金属连接层400，所述ASIC驱动电路单元200和所述MEMS谐振器单元300之间通过所述金属连接层400连接，所述ASIC驱动电路单元200用于激励所述MEMS谐振器单元300的振动，并处理所述MEMS谐振器单元300的输出信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海摩仑工业技术有限公司 一种集成MEMS和ASIC的封装结构及其制作方法
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