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申请/专利权人：华中科技大学

摘要：本申请属于光电器件仿真领域，具体公开了含非均匀厚度膜层的有机发光器件光学仿真方法和系统。通过本申请，在对均匀厚度膜层仿真时，仅对偶极子辐射场展开为多个平面波展开的级次进行积分，保留位置坐标项，从而建立水平方向宽度有限的半解析均匀厚度膜层OLED器件电场仿真模型，突破了传统光学模型只能计算水平方向尺寸无限OLED器件的局限；结合等效膜层法对含缺陷的无源多层膜系进行快速光学仿真分析的思想，将OLED器件以偶极子为原点，分为上半部分膜系和下半部分膜系，分别计算不同膜层厚度时上下膜系的反射和透射系数，再结合真空中偶极子的平面波展开、微腔效应分别计算每小份表面的电场分布，在计算中引入厚度不均匀引起的平面波相位差修正系数。

主权项：1.一种含非均匀厚度膜层的有机发光器件光学仿真方法，其特征在于，包括：S1.利用均匀有机发光器件表面坡印亭矢量的分布，确定单个偶极子的辐射范围，所述均匀有机发光器件与待仿真含非均匀厚度膜层的有机发光器件中的均匀膜层结构相同；S2.以单个偶极子的辐射范围为单位，将待仿真有机发光器件划分为若干个辐射区域；S3.计算每个辐射区域的综合电场，具体为：S31.在x和y方向设置步长均匀的采样点，落在该辐射区域内厚度非均匀部分的点放在集合R1中，落在该辐射区域内厚度均匀部分的点放在集合R2中；S32.基于等效膜层法的厚度非均匀OLED器件光学模型对厚度非均匀部分R1进行光学仿真，得到该辐射区域内非均匀表面电场，采用半解析的均匀OLED器件光学模型对厚度均匀部分R2进行光学仿真，得到该辐射区域内均匀表面电场；S33.根据均匀表面电场和非均匀表面电场，计算得到待仿真有机发光器件单个偶极子辐射表面的综合电场；所述基于等效膜层法的厚度非均匀OLED器件光学模型对厚度非均匀部分R1进行光学仿真，得到该辐射区域内非均匀表面电场具体为：将非均匀厚度膜层在水平方向等分成多份，并假设每个小份的膜层厚度分布是均匀的，分别用散射矩阵求得每个小份的偶极子上半部分膜系和下半部分膜系的反射和透射系数；将等分的每小份膜系看成距偶极子位置不同的单独膜系，再结合真空中偶极子的平面波展开、微腔效应分别计算每小份表面的电场分布；其中，等分的每小份膜系的厚度由器件的实际膜层厚度分布决定，需引入厚度不均匀引起的平面波相位差进行修正；所述采用半解析的均匀OLED器件光学模型对厚度均匀部分R2进行光学仿真，得到该辐射区域内均匀表面电场，具体为：采用平面波展开法将偶极子辐射场展开为多个平面波的叠加，结合微腔效应、Purcell理论和散射矩阵，计算时仅对偶极子辐射场展开为多个平面波展开的级次进行积分，保留位置坐标项，从而建立水平方向宽度有限的半解析均匀厚度膜层OLED器件电场仿真模型。

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