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摘要：本发明提供一种单晶金刚石外延生长方法，涉及单晶生长技术领域。包括以下步骤：在单晶金刚石晶种生长面上第一轮外延生长，得到单晶金刚石Ⅰ；切割单晶金刚石Ⅰ生长面，在切割后的单晶金刚石Ⅰ的生长面上进行至少一个轮次的外延生长，每轮生长前对生长面切割，最后一轮生长完对生长面切割后得到单晶金刚石Ⅱ；对单晶金刚石Ⅱ的底面进行切割，将切割后底面作为生长面，在生长面上进行至少一个轮次的外延生长，每轮生长前对生长面进行切割，最后一轮生长完对生长面切割后得到单晶金刚石。在重复生长过程中通过切割新生长的单晶金刚石，以及换边生长，降低单晶金刚石成品的缺陷密度，得到超过原始晶种厚度至少700％的大尺寸、高质量的单晶金刚石。
主权项：1.一种单晶金刚石外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1在单晶金刚石晶种的生长面上进行第一轮外延生长，得到单晶金刚石Ⅰ；2对所述步骤1的单晶金刚石Ⅰ的生长面进行切割，在切割后的单晶金刚石Ⅰ的生长面上进行至少一个轮次的外延生长，每轮生长前对生长面进行切割，最后一轮生长完对生长面切割后得到单晶金刚石Ⅱ；3对所述步骤2的单晶金刚石Ⅱ的底面进行切割，将切割后的单晶金刚石Ⅱ的底面作为生长面，在生长面上进行至少一个轮次的外延生长，每轮生长前对生长面进行切割，最后一轮生长完对生长面切割后得到单晶金刚石。
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