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摘要：一种光芯片、器件封装结构和光网络设备。涉及半导体领域，改善光芯片性能不佳的问题。具体方案为：光芯片包括模式扩展层、层叠设置的N包层、有源层、绝缘层和P电极层。P电极层包括相互连接的第一导电段和第二导电段，绝缘层在该P电极层的表面的投影与第一导电段重叠。光芯片分为前段和相对于前段更靠近出光面的后段。模式扩展层的折射率大于N包层，模式扩展层位于后段的有源层和N包层之间或者后段的N包层内。且模式扩展层在P电极层表面的投影覆盖后段内的第二导电段。模式扩展层使后段的光限制因子相对前段小，光芯片兼具光限制因子小和光限制因子大的优点。例如，当光芯片为半导体光放大器时，前段增益高，后段饱和输出功率高。
主权项：1.一种光芯片，其特征在于，所述光芯片包括：模式扩展层以及层叠设置的N包层、有源层、绝缘层和P电极层；所述模式扩展层位于所述有源层和所述N包层之间，或者，所述模式扩展层位于所述N包层内；所述模式扩展层的折射率大于所述N包层的折射率；其中，所述P电极层包括相互连接的第一导电段和第二导电段，所述绝缘层在所述P电极层的表面的投影与所述第一导电段重叠；所述第二导电段包括第一子部和第二子部，所述第二子部相对于所述第一子部更靠近所述光芯片的出光面；所述模式扩展层在所述P电极层表面的投影覆盖所述第二子部，且所述模式扩展层在所述P电极层表面的投影未覆盖所述第一子部。
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