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摘要：本发明提供一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法，该制备方法包括S10，提供外延片；S20，制备布拉格反射层；S30，在布拉格反射层表面涂布第一光刻胶，后去除掉布拉格反射层上的部分第一光刻胶；S40，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀出布拉格反射层通孔；S50，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除布拉格反射层通孔内的残留物；其中，步骤S40的具体步骤包括：S401，进行主反应刻蚀，以形成布拉格反射层通孔；步骤S50的具体步骤包括：S501，清理经主反应刻蚀后产生的副产物；S502，进行氧离子刻蚀，以去除在主反应刻蚀过程后残留有氟离子的第一光刻胶层；S503，进行氩离子刻蚀，以去除残留至布拉格反射层通孔侧壁的氟离子；S504，去除布拉格反射层通孔内的残留物。
主权项：1.一种倒装银镜发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S10，提供一外延片；S20，在所述外延片上制备布拉格反射层；S30，在所述布拉格反射层表面涂布第一光刻胶，后利用曝光、显影工艺去除掉所述布拉格反射层上的部分所述第一光刻胶；S40，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀暴露出的所述布拉格反射层，以形成布拉格反射层通孔；S50，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一光刻胶和所述布拉格反射层通孔内的氟离子，以去除所述布拉格反射层通孔内的残留物；其中，所述步骤S40的具体步骤包括：S401，开启机体上功率，并通入主反应气体后，开启机体下功率，进行主反应刻蚀，以形成布拉格反射层通孔；所述步骤S50的具体步骤包括：S501，关闭所述机体下功率，并通入氮气，以清理经所述主反应刻蚀后产生的副产物；S502，降低所述机体上功率，并开启所述机体下功率，后通入氧气进行氧离子刻蚀，以去除在所述主反应刻蚀过程后残留有氟离子的所述第一光刻胶层；S503，增加所述机体上功率，并降低所述机体下功率，后通入氩气进行氩离子刻蚀，以去除残留至所述布拉格反射层通孔侧壁的氟离子；S504，关闭所述机体下功率，并通入氮气清理刻蚀副产物，以去除所述布拉格反射层通孔内的残留物。
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