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摘要：本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种基于磁控调谐的垂直腔面发射半导体激光器，包括衬底，在衬底上依次生长有N型BDR层、有源层、氧化层、光子晶体层、电流扩散层，从电流扩散层向下刻蚀至N型BDR层形成台面，在台面上制备有钝化层和P面电极，P面电极覆盖在钝化层上，在P面电极上固定有间隔层，在间隔层内制备有液晶层，在液晶层上封盖有透明封盖层，在透明封盖层上制备有光栅层，在衬底的底面制备有N面电极，在N面电极的底面通过电磁铁薄膜固定有电磁铁。本发明可以通过磁场灵活控制发射光的波长，且具有较宽的波长调谐范围，而光栅可以使优化腔内模式，在宽波长调谐范围内维持高效的电光转换。
主权项：1.一种基于磁控调谐的垂直腔面发射半导体激光器，包括衬底，其特征在于，在衬底上依次生长有N型BDR层、有源层、氧化层、光子晶体层、电流扩散层，从电流扩散层向下刻蚀至N型BDR层形成台面，在台面上制备有钝化层和P面电极，P面电极覆盖在钝化层上，在P面电极上固定有间隔层，在间隔层内制备有液晶层，在液晶层上封盖有透明封盖层，在透明封盖层上制备有光栅层，在衬底的底面制备有N面电极，在N面电极的底面通过电磁铁薄膜固定有电磁铁。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于磁控调谐的垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法
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