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摘要：本发明属于半导体微观结构技术领域，具体涉及一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法。本发明方法设计科学合理，铌酸锂薄膜为x切或者y切铌酸锂薄膜，其极化方向位于面内，衬底从上至下包含易被HF酸腐蚀的材料和不易被HF酸腐蚀的材料，基于薄膜与衬底间存在的相互作用力主要包括范德华力、键合力、亲和力与电荷作用力，在铌酸锂薄膜与其他衬底分开后，能够使其重新吸附于衬底，再利用原子力显微镜表征刻蚀边界线的侧壁形貌，即可直接测量畴的深度。
主权项：1.一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、采用第一种方式或第二种方式实现铌酸锂薄膜的刻蚀；第一种方式：铌酸锂薄膜上表面旋涂一层光刻胶，经加热、曝光和显影流程，畴结构区域部分面积的光刻胶被去除，与之相邻的未反转区域部分面积的光刻胶被去除；光刻胶边界线或刻蚀边界线与极化方向的夹角≤90°且≠0°；使用等离子体刻蚀机对步骤S1的铌酸锂薄膜进行刻蚀；未被光刻胶覆盖的区域被刻蚀掉，厚度大于铌酸锂薄膜厚度；第二种方式：定点刻蚀铌酸锂薄膜上畴结构区域的部分区域和相邻未反转结构区域的部分区域，刻蚀边界线与极化方向的夹角≤90°且≠0°；刻蚀厚度大于铌酸锂薄膜厚度；步骤S2、铌酸锂薄膜周边涂抹光刻胶或者石蜡；步骤S3、将步骤S2的铌酸锂浸入在HF溶液里，基于HF腐蚀铌酸锂的方向特异性，腐蚀垂直于极化方向的铌酸锂-c面的速度远远大于垂直于极化方向的铌酸锂+c面的速度；浸入一段时间后，铌酸锂刻蚀边界线的侧壁出现结构差异；随后缓慢抽离HF溶液，由于HF在此过程中也会腐蚀衬底，导致铌酸锂薄膜与其他衬底分开，中间存在一层HF溶液，易处于悬浮的状态；抽离HF溶液后，随后静置铌酸锂薄膜至少1min，使得铌酸锂层重新吸附于衬底；步骤S4、将步骤S3的铌酸锂薄膜放置在原子力显微镜表征刻蚀边界线的侧壁形貌，测量畴的深度。
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百度查询： 安徽工业大学 一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法
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