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摘要：本发明公开了一种大面积二维α相三氧化钼单晶的制备方法。该方法包括以下步骤：1将剥离后的云母覆盖在金属钼薄片的上表面，间距控制在0.5毫米以内；2将云母与金属钼薄片组合放入拥有长梯度降温范围的管式炉内，再通过一步化学气相沉积法CVD控制生长参数包括温度，气体流速，降温速率，保温时间在云母衬底mica上生长α相氧化钼晶体。其中，在第二步气相沉积中对气体流速以及降温速率的控制可得到所述的二维大面积α相三氧化钼单晶。利用成核密度和吉布斯自由能诱导的多重控制策略，用于厚度和面积控制合成二维α相三氧化钼单畴，得到横向尺寸达到毫米级的二维大面积α相三氧化钼单晶。
主权项：1.一种大面积二维α相三氧化钼单晶的制备方法，其特征在于，利用CVD一步法制备二维大面积α相三氧化钼单晶，通过控制生长温度，匹配降温过程的温度梯度，用于厚度和面积控制合成二维α相三氧化钼单晶，得到横向尺寸达到毫米级的二维大面积α相三氧化钼单晶；二维大面积α相三氧化钼单晶生长的过程中，生长温度为520-550℃，降温速度为4.6℃min-127℃min。
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百度查询： 东南大学 一种大面积二维α相三氧化钼单晶的制备方法
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